ANALOG DESIGN ESSENTIALS · CHAPTER 02

源極退化與可調跨導

從電路方程到教材結論 · 每步必要近似 · 原圖與講解可追溯

本組繼承 共同模型與假設。含教材記號、近似或模型差異,請連同相應說明閱讀。

電阻、電感與 MOS 源極退化

對應:0214–0216。這裡 RSR_SLSL_S 位於 source 與地之間,不是 gate 前的訊號源電阻。

0214:先保留 ror_o 的低頻模型

設 source 電壓 vxv_x、退化阻抗 ZSZ_S,且 bulk 跟 source 相連:

id=gm(vivx)+go(vovx),vx=ZSid.i_d=g_m(v_i-v_x)+g_o(v_o-v_x),\qquad v_x=Z_Si_d.

代回並收集:

id[1+(gm+go)ZS]=gmvi+govo.i_d[1+(g_m+g_o)Z_S]=g_mv_i+g_ov_o.

因此短路輸出跨導與輸出電阻為

GmS=idvivo=0=gm1+(gm+go)ZS,Zout=voidvi=0=ro+(1+gmro)ZS.G_{mS}=\left.\frac{i_d}{v_i}\right|_{v_o=0} =\frac{g_m}{1+(g_m+g_o)Z_S},\qquad Z_{\rm out}=\left.\frac{v_o}{i_d}\right|_{v_i=0} =r_o+(1+g_mr_o)Z_S.

ZS=RSZ_S=R_S 並依序近似:

GmRgm1+gmRS1RS,Routro(1+gmRS)gmroRS.G_{mR}\simeq\frac{g_m}{1+g_mR_S}\simeq\frac1{R_S}, \qquad R_{\rm out}\simeq r_o(1+g_mR_S)\simeq g_mr_oR_S.

低頻、輸出短路時 vx/vi=gmRS/[1+(gm+go)RS]v_x/v_i=g_mR_S/[1+(g_m+g_o)R_S]。由 ig=sCGS(vivx)i_g=sC_{GS}(v_i-v_x),得到一階輸入電容係數

Cin=CGS1+goRS1+(gm+go)RSCGS1+gmRS.C_{\rm in}=C_{GS}\frac{1+g_oR_S}{1+(g_m+g_o)R_S} \simeq\frac{C_{GS}}{1+g_mR_S}.

這不是任意輸出負載下通用的輸入電容。vx/viv_x/v_i 會隨 drain 終端改變。

0215:電感退化

忽略 ror_oCGDC_{GD},但保留 CGSC_{GS}。令 vgs=vivxv_{gs}=v_i-v_x

ig=sCGSvgs,is=(gm+sCGS)vgs,vx=sLSis.i_g=sC_{GS}v_{gs},\quad i_s=(g_m+sC_{GS})v_{gs},\quad v_x=sL_Si_s.

所以

Zin=vgs+sLS(gm+sCGS)vgssCGSvgs=1sCGS+sLS+gmLSCGS.Z_{\rm in}=\frac{v_{gs}+sL_S(g_m+sC_{GS})v_{gs}}{sC_{GS}v_{gs}} =\frac1{sC_{GS}}+sL_S+\frac{g_mL_S}{C_{GS}}.

定義 ωT=gm/CGS\omega_T=g_m/C_{GS},電阻項為 LSωTL_S\omega_T。只有在 ω0=1/LSCGS\omega_0=1/\sqrt{L_SC_{GS}} 附近,容性與感性虛部相消,輸入才近似純電阻。

若在求跨導時省略 CGSC_{GS},上一節給

GmLgm1+sgmLS,Zoutro(1+sgmLS).G_{mL}\simeq\frac{g_m}{1+sg_mL_S},\qquad Z_{\rm out}\simeq r_o(1+sg_mL_S).

若保留 CGSC_{GS},短路跨導則是

GmL=gm1+sgmLS+s2LSCGS.G_{mL}=\frac{g_m}{1+sg_mL_S+s^2L_SC_{GS}}.

因此教材的 GmLG_{mL}ZinZ_{\rm in} 使用不同層級的電容保留方式,必須分清。

0216:用 triode MOS 當退化電阻

兩顆 NMOS 的 gate 同接 viv_i;M1 source 接 M2 drain(節點 xx),M2 source 接地。DC 幾何關係:

VDS2=VGS2VGS1.V_{DS2}=V_{GS2}-V_{GS1}.

M2 的 triode 近似:

I2=KPW2L2[(VGS2VT)VDS2VDS222].I_2=KP\frac{W_2}{L_2} \left[(V_{GS2}-V_T)V_{DS2}-\frac{V_{DS2}^2}{2}\right].

分別微分:

go2=KPW2L2(VGS2VTVDS2),gm2=KPW2L2VDS2.g_{o2}=KP\frac{W_2}{L_2}(V_{GS2}-V_T-V_{DS2}),\quad g_{m2}=KP\frac{W_2}{L_2}V_{DS2}.

只有 VDS2VGS2VTV_{DS2}\ll V_{GS2}-V_T 才有

ro2[KP(W2/L2)(VGS2VT)]1,gm2go2.r_{o2}\simeq[KP(W_2/L_2)(V_{GS2}-V_T)]^{-1},\qquad g_{m2}\ll g_{o2}.

兩管電流相等給出

(gm1+go1+go2)vx=(gm1gm2)vi+go1vo.(g_{m1}+g_{o1}+g_{o2})v_x =(g_{m1}-g_{m2})v_i+g_{o1}v_o.

因此

Rout=ro1+ro2+gm1ro1ro2,R_{\rm out}=r_{o1}+r_{o2}+g_{m1}r_{o1}r_{o2}, Gm,eff=gm1go2+gm2(gm1+go1)gm1+go1+go2.G_{m,\rm eff} =\frac{g_{m1}g_{o2}+g_{m2}(g_{m1}+g_{o1})} {g_{m1}+g_{o1}+g_{o2}}.

教材差異:輸入電容。 M2 source 接地,其 CGS2C_{GS2} 沒有被 source 跟隨所自舉。只計兩個 CGSC_{GS} 時,

Cin=CGS1(1Hx)+CGS2,Hx=vxvivo=0.C_{\rm in}=C_{GS1}(1-H_x)+C_{GS2},\qquad H_x=\left.\frac{v_x}{v_i}\right|_{v_o=0}.

不能從此連線得到投影片的 (CGS1+CGS2)/(1+gm1ro2)(C_{GS1}+C_{GS2})/(1+g_{m1}r_{o2})。若另計 M2 的 CGD2C_{GD2},它應與 CGS1C_{GS1} 一樣乘 1Hx1-H_x

必要近似

原式 → 簡式 條件 失效情況
gm+gogmg_m+g_o\to g_m gmro1g_mr_o\gg1 低 intrinsic gain
ro+(1+gmro)RSro(1+gmRS)r_o+(1+g_mr_o)R_S\to r_o(1+g_mR_S) 被省的 RSro(1+gmRS)R_S\ll r_o(1+g_mR_S) 串聯項顯著
gm/(1+gmRS)1/RSg_m/(1+g_mR_S)\to1/R_S gmRS1g_mR_S\gg1 弱退化
CinC_{\rm in} 分子 1+goRS11+g_oR_S\to1 RSroR_S\ll r_o 只用 gmro1g_mr_o\gg1 不夠
忽略 s2LSCGSs^2L_SC_{GS} ω2LSCGS1+jωgmLS\omega^2L_SC_{GS}\ll|1+j\omega g_mL_S| 共振附近
理想電感無額外熱雜訊 損耗電阻為零 真實 ESR/基板損耗
M2 視為固定電阻 gm2g_{m2} 項相對保留項足夠小 「0.2 V 很小」不是充分條件

不用 SFG:一個 source 電壓的消元已明確顯示負回授作用。

來源對照

投影片 PDF 頁 書本頁 講解所在 PDF 頁
0214 56 57 56, 57
0215 57 58 57
0216 57 58 57

Spectre 仿真結果

本推導組的代表模型已完成 Spectre 驗證;覆蓋範圍以所列 netlist 為準,未逐一搭建所有投影片電路。

線性 AC 2 · MOS 電路 1 · 極零 0 · 暫態 0:所列檢查全部通過。

案例:degeneration、degeneration_zin、mos_degen

查看本組波形、模型條件與 CSV → · 仿真 Markdown 解釋

來源投影片與講解定位(3 張)
原書投影片 0214
0214 · PDF 56/書本 57 · 原圖及完整講解
原書投影片 0215
0215 · PDF 57/書本 58 · 原圖及完整講解
原書投影片 0216
0216 · PDF 57/書本 58 · 原圖及完整講解