二極體連接與低阻抗負載放大器
對應:0217–0222。
0217–0219:gate 與 drain 短接
NMOS VDS=VGS=V,source 與 bulk 接地。導通時 V>VT;對正閾值有 V≥V−VT,因此在長通道飽和區:
ID=K′LW(V−VT)2.
同一埠的小電壓使 vgs=vds=v:
i=(gm+go)v,rd=gm+go1=(1/gm)∥ro.
加入 CGS+CDS;CGD 兩端短接:
Zd(s)=gm+go+s(CGS+CDS)1,BW=2π(CGS+CDS)gm+go.
先用 go≪gm,再用 CDS≃CGS,才得到 BW≃fT/2,其中 fT≃gm/(2πCGS)。兩個電容接近相等是教材的額外數值假設。
0220:上方 NMOS 二極體負載
M1 source 接地;M2 gate、drain 接 AC 地的 VDD,source 接輸出。從輸出看 M2 的導納為 gm2+gmb2+go2:
[go1+go2+gm2+gmb2]vo=−gm1vi.
av=−gm2+gmb2+go1+go2gm1,Rout=gm2+gmb2+go1+go21.
忽略 body effect 與 go 才得到增益大小 gm1/gm2。在兩管同電流、同 K′時:
gm2gm1=(W/L)2(W/L)1=VOV1VOV2.
DC 有 VO=VDD−VGS2(VO)。M2 bulk 接地時,VT2 隨 VO 變化;DC 與 AC 的 body effect 都不能憑空消失。
0221:兩管 source 接地,電流源供應總電流
M1 drain 與二極體連接 M2 的 gate/drain 同接輸出;總電流源為 2IB:
I1+I2=2IB,(go1+go2+gm2)vo=−gm1vi.
所以小訊號式等於上一節移除 gmb2。一般跨導比為
gm2gm1=K2′(W/L)2I2K1′(W/L)1I1.
只有選 I1=I2=IB,才化為尺寸比平方根。若同時要求 VO,DC=VI,DC 且閾值相同,則兩管 VOV 相同;再要求等電流,便必須尺寸相同,增益大小為 1。
教材對照:「同 DC 輸入輸出、任意尺寸比增益、等電流」不能全部當成獨立且同時成立的條件。
用平方律還可直接解 0221 的 DC 曲線:
VO=VT+k22IB−k1(VI−VT)2.
只要根號內為正且兩管維持飽和,對它微分就得到
av=−k1(VI−VT)/[k2(VO−VT)]=−gm1/gm2。
若 VO=VI,此時增益大小為 k1/k2;只有另選等電流時才採平方根尺寸比。名字中的「linear」不代表整條 DC 曲線嚴格線性。
0222:M2 gate 改接輸入
兩管 source、drain、gate 分別相接,等效跨導相加:
Gm=gm1+gm2,av=−Gm(ro1∥ro2),Rout=ro1∥ro2.
教材的 gmRout 若要成立,gm 必須表示合併後的總跨導。
必要近似
| 原式 → 簡式 |
條件 |
失效情況 |
| 1/(gm+go)→1/gm |
gmro≫1 |
低增益器件 |
| CGS+CDS→2CGS |
兩個電容接近,其他電容可忽略 |
不同 bias/尺寸 |
| 負載導納 →gm2 |
gmb2,go1,go2≪gm2 |
上方 NMOS 的 body effect |
| 跨導比 → 尺寸比平方根 |
I1=I2、同 K′ |
0221 一般會不等分流 |
不用 SFG:短接已直接化成埠導納,KCL 更簡單。
來源對照
Spectre 仿真結果
本推導組的代表模型已完成 Spectre 驗證;覆蓋範圍以所列 netlist 為準,未逐一搭建所有投影片電路。
線性 AC 2 · MOS 電路 1 · 極零 0 · 暫態 0:所列檢查全部通過。
案例:diode_z、diode_load、mos_diode_load
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