二管共源共栅级的增益、输出电阻与 GBW
对应:0253–0255。
连接与精确低频模型
M1 源极接地、栅极是输入;M2 源极接 M1 漏极(x)、栅极 AC 接地;M2 漏极为输出。先不含体效应、寄生电容,只保留输出 CL 和负载 GL。
令 Q2=gm2+go2,Dx=go1+Q2:
Dxvx−go2vo=−gm1vi,
−Q2vx+(go2+GL+sCL)vo=0.
由此得到
av(s)=go1go2+DxGL+sDxCL−gm1Q2.
先从两端口关系读出 诺顿 参数:
Geff=Dxgm1Q2,Rcasc=go1go2Dx=ro1+ro2+gm2ro1ro2.
所以
av=−1+s(Rcasc∥RL)CLGeff(Rcasc∥RL).
逐步得到教材增益乘积
理想电流源负载时:
av(0)=−gm1ro1(1+gm2ro2)≃−(gm1ro1)(gm2ro2).
注意精确 av 并不等于 −gm1Rcasc,因为 Geff 比 gm1 略小。只有 Q2≫go1 才可令 Geff≃gm1。
Rcasc≃gm2ro1ro2
要求 gm2ro1≫1 且 gm2ro2≫1,才能同时忽略两个独立的 ro。
带宽与曲线结论
BW=2π(Rcasc∥RL)CL1,GBW=2πCLGeff≃2πCLgm1.
与单管相比,共源共栅级提高低频增益,同时降低输出主极点;在上述近似下两条高频渐近线重合。这不是「所有频率的实际交越与相位相同」,因为中间节点寄生尚未加入。
小负载 RL≪ro1,Rcasc 时,两者增益都约 gm1RL,输出极点约 1/(RLCL)。因此并非任何负载下加共源共栅级都能提高增益。
近似与方法
| 近似 |
条件 |
失效情况 |
| Geff→gm1 |
go1≪gm2+go2 |
上管跨导小 |
| 1+gm2ro2→gm2ro2 |
gm2ro2≫1 |
短沟道低增益 |
| 两管阻抗只保留乘积 |
两个 gm2ro≫1 |
器件尺寸或电流差太大 |
| 单输出极点 |
中间节点极点高于关注频带 |
下一组的寄生情况 |
不用 SFG:两个节点的 KCL 足够,且本组的物理机制是 诺顿 输出阻抗的增加。
来源对照
| 幻灯片 |
PDF 页 |
书本页 |
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Spectre 仿真结果
本推导组的代表模型已完成 Spectre 验证;覆盖范围以所列网表为准,未逐一搭建所有幻灯片电路。
线性 AC 1 · MOS 电路 1 · 极零 0 · 瞬态 0:所列检查全部通过。
案例:cascode、mos_cascode
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