ANALOG DESIGN ESSENTIALS · CHAPTER 02

CMOS 反相器:完整頻率響應

從電路方程到教材結論 · 每步必要近似 · 原圖與講解可追溯

本組繼承 共同模型與假設。含教材記號、近似或模型差異,請連同相應說明閱讀。

CMOS 反相器的增益、兩極點與 Miller 限制

對應:0228–0233。

用總跨導避免倍數混淆

Gm=gmn+gmp,Go=gon+gop,Ro=1/Go.G_m=g_{mn}+g_{mp},\quad G_o=g_{on}+g_{op},\quad R_o=1/G_o.

輸入上升,NMOS 吸入增大、PMOS 供出減小,兩項都使輸出下降:

(Go+sCL)vo=Gmvi,av=GmRo1+sRoCL.(G_o+sC_L)v_o=-G_mv_i,\quad a_v=-\frac{G_mR_o}{1+sR_oC_L}. A0=GmRo,BW=12πRoCL,GBW=Gm2πCL.A_0=G_mR_o,\quad BW=\frac1{2\pi R_oC_L},\quad GBW=\frac{G_m}{2\pi C_L}.

匹配且兩管同 ID,VOV,VAI_D,V_{OV},V_A

Gm=2gm,Go=2go,Ro=ro/2,av(0)=gmro2VAVDD/2VT.G_m=2g_m,\quad G_o=2g_o,\quad R_o=r_o/2,\quad a_v(0)=-g_mr_o\simeq-\frac{2V_A}{V_{DD}/2-V_T}.

這解釋 current reuse:同一 DC 電流產生兩個 AC 跨導。0229 正文將 ro/2r_o/2 說成 2/go2/g_o 是倒數錯誤;應為 1/(2go)1/(2g_o)

0231:只有輸入、輸出對地電容

Ci=CGSn+CGSpC_i=C_{GSn}+C_{GSp},gate 前有 RSR_S

av=GmRo(1+sRSCi)(1+sRoCL).a_v=\frac{-G_mR_o}{(1+sR_SC_i)(1+sR_oC_L)}.

兩極點為 1/(RSCi)1/(R_SC_i)1/(RoCL)1/(R_oC_L)。若 RSCiRoCLR_SC_i\gg R_oC_L,輸入極點主導。若還要把主極點 GBW 當交越頻率,另一極點須高於交越,光是高於主極點仍不足。

GBWiGmRo2πRSCi.GBW_i\simeq\frac{G_mR_o}{2\pi R_SC_i}.

匹配時 Ci=2CGSC_i=2C_{GS},單管 fT=gm/(2πCGS)f_T=g_m/(2\pi C_{GS})

GBWi=fTro2RS.GBW_i=\frac{f_Tr_o}{2R_S}.

教材差異: 0231 寫 fTrDS/RSf_Tr_{DS}/R_S,主導條件寫 RSCGSt>rDSCLR_SC_{GSt}>r_{DS}C_L。按同章 rDSr_{DS} 是單管阻抗的定義,這兩處都少了係數 1/21/2。若改定義成總 RoR_o,必須明示。

0232–0233:加入 CF=CGDn+CGDpC_F=C_{GDn}+C_{GDp}

完整矩陣:

[GS+s(Ci+CF)sCFGmsCFGo+s(CL+CF)][vgvo]=[GSvi0].\begin{bmatrix} G_S+s(C_i+C_F)&-sC_F\\ G_m-sC_F&G_o+s(C_L+C_F) \end{bmatrix} \begin{bmatrix}v_g\\v_o\end{bmatrix} =\begin{bmatrix}G_Sv_i\\0\end{bmatrix}.

展開:

av(s)=A0(1sCF/Gm)1+a1s+a2s2,a_v(s)=\frac{-A_0(1-sC_F/G_m)}{1+a_1s+a_2s^2}, a1=Ro(CL+CF)+RS(Ci+CF)+A0RSCF,a_1=R_o(C_L+C_F)+R_S(C_i+C_F)+A_0R_SC_F, a2=RSRo(CiCL+CiCF+CFCL).a_2=R_SR_o(C_iC_L+C_iC_F+C_FC_L). sp1,p2=a1±a124a22a2,sz=GmCF.s_{p1,p2}=\frac{-a_1\pm\sqrt{a_1^2-4a_2}}{2a_2},\qquad s_z=\frac{G_m}{C_F}.

匹配時零點為 2gm/CF2g_m/C_F。0232 若写 1sCF/gm1-sC_F/g_m,其中 gmg_m 必須是總跨導,否則零點差一倍。

逐步化成教材分母

先令 Ci=0C_i=0,再忽略 CF(Ro+RS)C_F(R_o+R_S)

avA0(1sCF/Gm)1+s(RoCL+A0RSCF)+s2RSRoCFCL.a_v\simeq\frac{-A_0(1-sC_F/G_m)} {1+s(R_oC_L+A_0R_SC_F)+s^2R_SR_oC_FC_L}.
近似 必要條件 失效時
忽略 CiC_i a1,a2a_1,a_2 貢獻均遠小於保留項 用完整矩陣
CF(Ro+RS)C_F(R_o+R_S) CF(Ro+RS)RoCL+A0RSCFC_F(R_o+R_S)\ll R_oC_L+A_0R_SC_F A0A_0 本身不保證可省
根分離 a124a2a_1^2\gg4a_2 用完整二次方程
Miller 主導 GmRSCFCLG_mR_SC_F\gg C_L 交界處保留兩個時間常數
GBW 近似交越 A0A_0、交越遠離零點和次極點 不可只乘低頻增益與 BW

根分離時 ωd1/a1, ωnda1/a2\omega_d\simeq1/a_1,\ \omega_{nd}\simeq a_1/a_2。0233 的條件因此為

RSCFCLGm=12πGBWload,GBWMiller12πRSCF.R_SC_F\gg\frac{C_L}{G_m}=\frac1{2\pi GBW_{\rm load}}, \qquad GBW_{\rm Miller}\simeq\frac1{2\pi R_SC_F}.

SFG 機制與 03 組相同,只需換成總 GmG_m 並加入對地電容,不再畫重複圖。矩陣行列式、零點及匹配因子均由符號程式檢查。

來源對照

投影片 PDF 頁 書本頁 講解所在 PDF 頁
0228 63 64 63
0229 64 65 63, 64
0230 64 65 64
0231 65 66 65
0232 65 66 65, 66
0233 66 67 66

Spectre 仿真結果

本推導組的代表模型已完成 Spectre 驗證;覆蓋範圍以所列 netlist 為準,未逐一搭建所有投影片電路。

線性 AC 1 · MOS 電路 1 · 極零 0 · 暫態 0:所列檢查全部通過。

案例:inverter_ac、mos_inverter

查看本組波形、模型條件與 CSV → · 仿真 Markdown 解釋

來源投影片與講解定位(6 張)
原書投影片 0228
0228 · PDF 63/書本 64 · 原圖及完整講解
原書投影片 0229
0229 · PDF 64/書本 65 · 原圖及完整講解
原書投影片 0230
0230 · PDF 64/書本 65 · 原圖及完整講解
原書投影片 0231
0231 · PDF 65/書本 66 · 原圖及完整講解
原書投影片 0232
0232 · PDF 65/書本 66 · 原圖及完整講解
原書投影片 0233
0233 · PDF 66/書本 67 · 原圖及完整講解